封测的类型和流程
现在有上千种独立的封测类型并且没有统一的系统来识别它们。有些以它们的设计命名(DIP,扁平型,等等),有些以其结构技术命名(塑封,CERDIP,等等),有的按照体积命名,其他的以其应用命名。
芯片的封测技术已经历经好几代的变迁,技术也一代比一代先进,芯片面积与封测面积之比越来越接近,耐温性能越来越好,使用频率越来越高,以及引脚数增多,引脚间距减小,重量减小,可靠性提高,使用更加方便等等,都是看得见的变化。
封装工艺流程 一般可以分为两个部分,用塑料封装之前的工艺步骤成为前段操作,在成型之后的工艺步骤成为后段操作。基本工艺流程包括:硅片减薄、硅片切割、芯片贴装、成型技术、去飞边毛刺、切筋成型、上焊锡打码等工序。
一、前段:
背面减薄(back grinding):刚出场的圆镜(wafer)进行背面减薄,达到封装需要的厚度。在背面磨片时,要在正面粘贴胶带来保护电路区域。研磨之后,去除胶带。
圆镜切割(wafer Saw):将圆镜粘贴在蓝膜上,再将圆镜切割成一个个独立的Dice,再对Dice进行清洗。
光检查:检查是否出现废品
芯片粘接(Die Attach):芯片粘接,银浆固化(防止氧化),引线焊接。
二、后段:
注塑:防止外部冲击,用EMC(塑封料)把产品封测起来,同时加热硬化。
激光打字:在产品上刻上相应的内容。例如:生产日期、批次等等。
高温固化:保护IC内部结构,消除内部应力。
去溢料:修剪边角。
电镀:提高导电性能,增强可焊接性。
切片成型检查废品。
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